2N7002E vs 2N7001TQDCKRQ1

2N7002Eと2N7001TQDCKRQ1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002E

コムチップ・テクノロジー

Lifecycle
Active
Stock
3552 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Part B

2N7001TQDCKRQ1

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle
Active
Stock
8114 個数
Package
SC-70-5-5
Series
ロジック - トランスレータ、レベルシフタ

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Full specification comparison

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Specification 2N7002E 2N7001TQDCKRQ1
Supplier - Texas Instruments
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Obsolete Active
Translator Type - Voltage Level
Channel Type - Unidirectional
Number of Circuits - 1
Channelsper Circuit - 1
Voltage - VCCA - 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB - 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal - CMOS
Output Signal - CMOS
Output Type - Push-Pull
Data Rate - 100Mbps
Operating Temperature 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 100mA, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 40 pF @ 10 V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -