2N7002L vs 2N7002K-T1-GE3

2N7002Lと2N7002K-T1-GE3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002L

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 2923 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

2N7002K-T1-GE3

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle: Active
Stock: 4371 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	2N7002L	2N7002K-T1-GE3
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	115mA (Ta)	300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	7.5Ohm @ 500mA, 10V	2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	50 pF @ 25 V	30 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	200mW (Ta)	350mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	-	TrenchFET®
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	0.6 nC @ 4.5 V

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