2SB1188T100R vs 2SB1121T-TD-E

2SB1188T100Rと2SB1121T-TD-Eの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2SB1188T100R

ロームセミコンダクター

Lifecycle
Active
Stock
22803 個数
Package
TO-243AA
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Part B

2SB1121T-TD-E

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
752 個数
Package
TO-243AA
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Specification 2SB1188T100R 2SB1121T-TD-E
Supplier Rohm Semiconductor onsemi
Part Status Active Active
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 2 A 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 32 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 800mV @ 200mA, 2A 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 180 @ 500mA, 3V 100 @ 100mA, 2V
Power - Max 2 W 500 mW
Frequency - Transition 100MHz 150MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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