AON6998 vs AON6994
AON6994とAON6998の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
8-PowerWDFN
説明
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
AON699
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
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FET Feature
Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A, 26A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
820pF @ 15V
-
Power - Max
3.1W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Supplier
-
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature
-
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
19A, 26A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
13nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
820pF @ 15V
Power-Max
-
3.1W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
