AON7404 vs AON7401
AON7401とAON7404の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
PowerVDFN-8
説明
MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
MOSFET N-CH 20V 20A/40A 8DFN
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
AON740
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±25V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Not For New Designs
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
20A (Ta), 40A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
6mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.6V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
43 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4630 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
3.1W (Ta), 40W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
