AUIRF2804STRL vs AUIRF5210S 比較
AUIRF2804STRLとAUIRF5210Sの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-263-3
TO-263-3
説明
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
195A (Tc)
38A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
2mOhm @ 75A, 10V
60mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
230 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
6450 pF @ 25 V
2780 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
