AUIRF7341QTR vs AUIRF7342Q

AUIRF7341QTRとAUIRF7342Qの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRF7341QTR

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
4160 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ
Part B

AUIRF7342Q

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
4443 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Specification AUIRF7341QTR AUIRF7342Q
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 38nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 690pF @ 25V
Power - Max 2.4W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number AUIRF7341 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V -
Grade Automotive -
Qualification AEC-Q101 -
Packaging Tape & Reel (TR) -