AUIRS2181STR vs AUIRS20161S
AUIRS2181STRとAUIRS20161Sの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
SOIC-8
説明
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Series
-
Automotive, AEC-Q100
ProductStatus
Active
Obsolete
DrivenConfiguration
Half-Bridge
High-Side
ChannelType
Independent
Single
NumberofDrivers
2
1
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
10V ~ 20V
4.4V ~ 6.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
1.9A, 2.3A
500mA, 500mA
InputType
Inverting
Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
600 V
150 V
Rise/FallTime(Typ)
15ns, 15ns
200ns, 200ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
LogicVoltage-VILVIH
0.8V, 2.5V
-
