BAS16W vs BAS16LT1G

BAS16LT1GとBAS16Wの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
BAS16LT1G

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4501 個数 | オンセミコンダクター社
BAS16W

+BOM

1829 個数 | 揚州楊傑電子科技有限公司
パッケージ SOT23-3 SOT-323
説明 DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD123
ProductStatus Active Active
DiodeType Standard Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 100 V 75 V
Current-AverageRectified(Io) 200mA (DC) 200mA
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ReverseRecoveryTime(trr) 6 ns 6 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 1 µA @ 100 V 1 µA @ 75 V
Capacitance@VrF 2pF @ 0V, 1MHz 4pF @ 0V, 1MHz
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : BAS16LT1G BAS16W

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