BAV99LT3G vs BAV99E6327

BAV99LT3GとBAV99E6327の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
BAV99LT3G

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12125 個数 | オンセミコンダクター社
BAV99E6327

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5629 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
パッケージ TO-236-3 TO-236-3
説明 DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23 DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
Supplier onsemi Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
DiodeConfiguration 1 Pair Series Connection 1 Pair Series Connection
DiodeType Standard Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 100 V 80 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 215mA (DC) 200mA (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ReverseRecoveryTime(trr) 6 ns 4 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 2.5 µA @ 70 V 150 nA @ 70 V
OperatingTemperature-Junction -65°C ~ 150°C 150°C (Max)
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : BAV99LT3G BAV99E6327

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