BC817-25LT1G vs BC817-25

BC817-25LT1GとBC817-25の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC817-25LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 4995 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Part B

BC817-25

ディオテックセミコンダクター

Lifecycle: Active
Stock: 7338 個数
Package: SOT-23
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Full specification comparison

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Specification	BC817-25LT1G	BC817-25
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	500 mA	800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45 V	45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	700mV @ 50mA, 500mA	700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	160 @ 100mA, 1V	160 @ 100mA, 1V
Power - Max	300 mW	310 mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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