BC847BLT1G vs BC847BVN115

BC847BLT1GとBC847BVN115の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BLT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6873 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Specification BC847BLT1G BC847BVN115
Part Status Active Active
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V -
Power - Max 300 mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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