BC847BTT1G vs BC847AWT1

BC847BTT1GとBC847AWT1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BTT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4750 個数
Package
SOT-416
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Part B

BC847AWT1

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
8605 個数
Package
SOT-323
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Full specification comparison

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Specification BC847BTT1G BC847AWT1
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 250mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -