BC847CDW1T1G vs BC847BDW1T1

BC847CDW1T1GとBC847BDW1T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847CDW1T1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 11885 個数
Package: SC-88
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ

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Part B

BC847BDW1T1

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6597 個数
Package: SC-88
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	BC847CDW1T1G	BC847BDW1T1
Supplier	onsemi	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45V	45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	420 @ 2mA, 5V	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW	380mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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