BC856BLT1G vs BC856BDW1T1G

BC856BLT1GとBC856BDW1T1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

BC856BLT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5949 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
+BOM 見積依頼
Part B

BC856BDW1T1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3990 個数
Package
SOT-363-6
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ
+BOM 見積依頼

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

見積依頼 Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC856BLT1G BC856BDW1T1G
Part Status Active Active
Transistor Type PNP 2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 65 V 65V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 380mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare 見積依頼