BC857BLT1G vs BC857BS

BC857BLT1GとBC857BSの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC857BLT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
7181 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Part B

BC857BS

揚州楊傑電子科技有限公司

Lifecycle
Active
Stock
1435 個数
Package
SOT-363
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ

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Full specification comparison

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Specification BC857BLT1G BC857BS
Part Status Active Active
Transistor Type PNP 2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 300mW
Frequency - Transition 100MHz 200MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount