BSS123-7-F vs BSS123

BSS123-7-FとBSS123の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS123-7-F

アナログ・デバイセズ

Lifecycle
Active
Stock
6178 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Part B

BSS123

揚州楊傑電子科技有限公司

Lifecycle
Active
Stock
7795 個数
Package
SOT-23
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification BSS123-7-F BSS123
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 170mA (Ta) 200mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 1mA 3V @ 250µA
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60 pF @ 25 V 14 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 300mW (Ta) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 2.5 nC @ 10 V