BSS138NH6327XTSA2 vs BSS138LT1G

BSS138NH6327XTSA2とBSS138LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS138NH6327XTSA2

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 4345 個数
Package: PG-SOT23-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

BSS138LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 2952 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	BSS138NH6327XTSA2	BSS138LT1G
Series	SIPMOS®	-
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	230mA (Ta)	200mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	3.5Ohm @ 230mA, 10V	3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.4V @ 26µA	1.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	1.4 nC @ 10 V	-
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	41 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta)	225mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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