BSS84 vs BSS84LT1G

BSS84LT1GとBSS84の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
BSS84LT1G

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6051 個数 | オンセミコンダクター社
BSS84

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3000 個数 | アンボン・セミコンダクター(インターナショナル)リミテッド
パッケージ SOT23-3 SOT23 (Standard)
説明 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50 V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130mA (Ta) -
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V -
RdsOn(Max)@IdVgs 10Ohm @ 100mA, 5V -
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA -
Vgs(Max) ±20V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 30 pF @ 5 V -
PowerDissipation(Max) 225mW (Ta) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
比較モデル : BSS84LT1G BSS84

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