C3M0075120K vs C3M0065090J

C3M0075120KとC3M0065090Jの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0075120K

ウルフスピード株式会社

Lifecycle: Active
Stock: 2764 個数
Package: TO-247-4
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Part B

C3M0065090J

ウルフスピード株式会社

Lifecycle: Active
Stock: 6149 個数
Package: TO-263-7
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

見積依頼 Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	C3M0075120K	C3M0065090J
Series	C3M™	C3M™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V	900 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	30A (Tc)	35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	15V	15V
Rds On(Max) @ Id Vgs	90mOhm @ 20A, 15V	78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 5mA	2.1V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	51 nC @ 15 V	30 nC @ 15 V
Vgs(Max)	+19V, -8V	+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1350 pF @ 1000 V	660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)	113.6W (Tc)	113W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Surface Mount

Compare 見積依頼