C3M0065100K vs C3M0040120K 比較
C3M0040120KとC3M0065100Kの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-247-4
TO-247-4
説明
1200V 40MOHM SIC MOSFET
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Series
C3M™
C3M™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
66A (Tc)
35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
15V
15V
Rds On(Max) @ Id Vgs
53.5mOhm @ 33.3A, 15V
78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.6V @ 9.2mA
3.5V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
99 nC @ 15 V
35 nC @ 15 V
Vgs(Max)
+15V, -4V
+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
2900 pF @ 1000 V
660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)
326W (Tc)
113.5W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
