CSD16570Q5B vs CSD16321Q5

CSD16570Q5BとCSD16321Q5の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD16570Q5B

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 2929 個数
Package: TDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

CSD16321Q5

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 7266 個数
Package: TDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	CSD16570Q5B	CSD16321Q5
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V	25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	100A (Ta)	31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs	0.59mOhm @ 50A, 10V	2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.9V @ 250µA	1.4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	250 nC @ 10 V	19 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	14000 pF @ 12 V	3100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 195W (Tc)	3.1W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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