CSD17303Q5 vs CSD17556Q5B

CSD17303Q5とCSD17556Q5Bの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17303Q5

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 4931 個数
Series: トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET

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Part B

CSD17556Q5B

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 5685 個数
Package: TDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	CSD17303Q5	CSD17556Q5B
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	34A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	1.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.65V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	39 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	7020 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta)	3.1W (Ta), 191W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	32A (Ta), 100A (Tc)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 25A, 8V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 4.5 V	-
Vgs (Max)	+10V, -8V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3420 pF @ 15 V	-
Packaging	Bulk	-

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