CSD17575Q3 vs CSD17303Q5
CSD17303Q5とCSD17575Q3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TDFN-8
説明
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
+10V, -8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3420 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
3.2W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Bulk
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
60A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
30 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4420 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
2.8W (Ta), 108W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
