CSD17308Q3 vs CSD17579Q5A

CSD17308Q3とCSD17579Q5Aの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17308Q3

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 5348 個数
Package: TDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Part B

CSD17579Q5A

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 5567 個数
Package: TDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

見積依頼 Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD17308Q3	CSD17579Q5A
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	14A (Ta), 44A (Tc)	25A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	3V, 8V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	10.3mOhm @ 10A, 8V	9.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.8V @ 250µA	2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	5.1 nC @ 4.5 V	15.1 nC @ 10 V
Vgs(Max)	+10V, -8V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	700 pF @ 15 V	1030 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta)	3.1W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare 見積依頼