CSD87312Q3E vs CSD87351ZQ5D

CSD87312Q3EとCSD87351ZQ5Dの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87312Q3E

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 5430 個数
Package: TDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Part B

CSD87351ZQ5D

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 9225 個数
Package: LDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	CSD87312Q3E	CSD87351ZQ5D
Supplier	-	Texas Instruments,Rochester Electronics, LLC
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual) Common Source	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	27A	32A
Vgs(th)(Max) @ Id	1.3V @ 250µA	2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	8.2nC @ 4.5V	7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1250pF @ 15V	1255pF @ 15V
Power - Max	2.5W	12W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Rds On(Max) @ Id Vgs	33mOhm @ 7A , 8V	-

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