CSD87350Q5D vs CSD87313DMS

CSD87350Q5DとCSD87313DMSの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87350Q5D

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 7004 個数
Package: LDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Part B

CSD87313DMS

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 6204 個数
Package: WDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	CSD87350Q5D	CSD87313DMS
Supplier	-	Texas Instruments
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.1V @ 250µA	1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10.9nC @ 4.5V	28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1770pF @ 15V	4290pF @ 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	40A	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	5.9mOhm @ 20A, 8V	-
Power - Max	12W	-

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