DG211CSE vs DG211BDJ-E3

DG211CSEとDG211BDJ-E3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DG211CSE

アナログ・デバイセズ社/マキシム・インテグレーテッド

Lifecycle
Active
Stock
3786 個数
Package
SOIC-16
Series
インターフェース - アナログスイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ
Part B

DG211BDJ-E3

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle
Active
Stock
102 個数
Package
DIP-16
Series
インターフェース - アナログスイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification DG211CSE DG211BDJ-E3
Supplier Analog Devices Inc./Maxim Integrated Vishay Siliconix
Part Status Obsolete Active
Switch Circuit SPST - NC SPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 1:1 1:1
Number of Circuits 4 4
On - State Resistance(Max) 175Ohm 85Ohm
Channel - to - Channel Matching(ΔRon) - 2Ohm
Voltage - Supply, Single (V+) - 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±) ±4.5V ~ 18V ±4.5V ~ 22V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 1µs, 500ns 300ns, 200ns
Charge Injection - 1pC
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 5pF, 5pF 5pF, 5pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 5nA 500pA
Crosstalk -90dB @ 100kHz -95dB @ 100kHz
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Through Hole