DGD2190MS8-13 vs DGD2104MS8-13 比較
DGD2190MS8-13とDGD2104MS8-13の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
SOIC-8
説明
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Channel Type
Independent
Synchronous
Number of Drivers
2
2
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.5V
0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
4.5A, 4.5A
290mA, 600mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
25ns, 20ns
70ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TA)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
