DMG1012T-7 vs DMG1029SV-7

DMG1012T-7とDMG1029SV-7の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DMG1012T-7

アナログ・デバイセズ

Lifecycle: Active
Stock: 6439 個数
Package: SOT-523-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

DMG1029SV-7

アナログ・デバイセズ

Lifecycle: Active
Stock: 4091 個数
Package: SOT-563-6
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	DMG1012T-7	DMG1029SV-7
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N and P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	630mA (Ta)	500mA, 360mA
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	1.8V, 4.5V	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	400mOhm @ 600mA, 4.5V	1.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.74 nC @ 4.5 V	0.3nC @ 4.5V
Vgs(Max)	±6V	-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	60.67 pF @ 16 V	30pF @ 25V
Power Dissipation (Max)	280mW (Ta)	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
FET Feature	-	Logic Level Gate
Power - Max	-	450mW

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