ECH8668-TL-H vs ECH8619-TL-E

ECH8668-TL-HとECH8619-TL-Eの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

ECH8668-TL-H

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 3 個数
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Part B

ECH8619-TL-E

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 5463 個数
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	ECH8668-TL-H	ECH8619-TL-E
Supplier	onsemi	onsemi
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7.5A, 5A	3A, 2A
Rds On(Max) @ Id Vgs	17mOhm @ 4A, 4.5V	93mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10.8nC @ 4.5V	12.8nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1060pF @ 10V	560pF @ 20V
Power - Max	1.5W	1.5W
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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