FDD8896 vs FDD8880

FDD8896とFDD8880の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDD8896

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4510 個数
Package
TO-252-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Part B

FDD8880

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6387 個数
Package
TO-252-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Specification FDD8896 FDD8880
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 17A (Ta), 94A (Tc) 13A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V 9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 80W (Tc) 55W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount