FDMC8032L vs FDMC86262P

FDMC86262PとFDMC8032Lの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDMC86262P

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3095 個数 | オンセミコンダクター社
FDMC8032L

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6487 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
説明 MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V 40V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Ta), 8.4A (Tc) 7A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V -
RdsOn(Max)@IdVgs 307mOhm @ 2A, 10V 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13 nC @ 10 V 11nC @ 10V
Vgs(Max) ±25V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 885 pF @ 75 V 720pF @ 20V
PowerDissipation(Max) 2.3W (Ta), 40W (Tc) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
FETFeature - Logic Level Gate
Power-Max - 1.9W
比較モデル : FDMC86262P FDMC8032L

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