FDMS3604S vs FDMS3620S
FDMS3620SとFDMS3604Sの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
8-PowerTDFN
説明
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A POWER56
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Supplier
-
onsemi,Rochester Electronics, LLC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
13A, 23A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.7V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
29nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1785pF @ 15V
Power-Max
-
1W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDMS3620
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 17.5A, 10V
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
