FDMS3669S vs FDMS3600S

FDMS3669SとFDMS3600Sの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDMS3669S

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4171 個数 | オンセミコンダクター社
FDMS3600S

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5621 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ PowerTDFN-8
説明 MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56 MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
Series PowerTrench® -
FETType 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 13A, 18A -
RdsOn(Max)@IdVgs 10mOhm @ 13A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 2.7V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24nC @ 10V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1605pF @ 15V -
Power-Max 1W -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
比較モデル : FDMS3669S FDMS3600S

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