FDMS8018 vs FDMS8050ET30

FDMS8018とFDMS8050ET30の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMS8018

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4969 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET
Part B

FDMS8050ET30

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4401 個数
Package
TDFN-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Specification FDMS8018 FDMS8050ET30
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Not For New Designs
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 55A (Ta), 423A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 750µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 285 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 22610 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMS80 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 120A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 30A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5235 pF @ 15 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -