FDMS86101 vs FDMS8050ET30

FDMS86101とFDMS8050ET30の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMS86101

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 2279 個数
Package: TDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

FDMS8050ET30

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 4401 個数
Package: TDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	FDMS86101	FDMS8050ET30
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Not For New Designs
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	12.4A (Ta), 60A (Tc)	55A (Ta), 423A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	6V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	8mOhm @ 13A, 10V	0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	3V @ 750µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V	285 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	3000 pF @ 50 V	22610 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 104W (Tc)	3.3W (Ta), 180W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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