FDMS86163P vs FDMS8050ET30
FDMS86163PとFDMS8050ET30の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
PowerTDFN-8
PowerTDFN-8
説明
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Not For New Designs
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7.9A (Ta), 50A (Tc)
55A (Ta), 423A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
3V @ 750µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
59 nC @ 10 V
285 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4085 pF @ 50 V
22610 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
3.3W (Ta), 180W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
