FDS6910 vs FDS6990AS

FDS6910とFDS6990ASの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDS6910

+BOM

6487 個数 | オンセミコンダクター社
FDS6990AS

+BOM

9336 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOIC-8
説明 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Part Status - Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 14nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 550pF @ 15V
Power - Max - 900mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - FDS6990
ProductStatus Obsolete -
FETType 2 N-Channel (Dual) -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.5A -
RdsOn(Max)@IdVgs 13mOhm @ 7.5A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24nC @ 10V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1130pF @ 15V -
Power-Max 900mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
比較モデル : FDS6910 FDS6990AS

+BOM 見積依頼