FDS6912A vs FDS6982S
FDS6912AとFDS6982Sの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
説明
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®, SyncFET™
Part Status
-
Obsolete
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
6.3A, 8.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
2040pF @ 10V
Power - Max
-
900mW
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
FDS69
ProductStatus
Active
-
FETType
2 N-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 6A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
8.1nC @ 5V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
