FDS6990A vs FDS6930A

FDS6990AとFDS6930Aの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6990A

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3513 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Part B

FDS6930A

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2195 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDS6990A FDS6930A
Supplier onsemi -
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.5A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 18mOhm @ 7.5A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 17nC @ 5V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1235pF @ 15V -
Power - Max 900mW 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 40mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 460pF @ 15V
Base Product Number - FDS6930