FDS89161LZ vs FDS8928A

FDS89161LZとFDS8928Aの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDS89161LZ

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5815 個数 | オンセミコンダクター社
FDS8928A

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8467 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOIC-8
説明 MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
Series PowerTrench® -
FETType 2 N-Channel (Dual) -
FETFeature Standard -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.7A -
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 2.7A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.3nC @ 10V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 302pF @ 50V -
Power-Max 1.6W -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
比較モデル : FDS89161LZ FDS8928A

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