FDS8958A vs FDS8960C
FDS8958AとFDS8960Cの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
説明
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
Supplier
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Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
Series
PowerTrench®
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FETType
N and P-Channel
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FETFeature
Logic Level Gate
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DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
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Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7A, 5A
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RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 7A, 10V
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Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
16nC @ 10V
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InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
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Power-Max
900mW
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MountingType
Surface Mount
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