FDS9933A vs FDS9953A

FDS9933AとFDS9953Aの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDS9933A

+BOM

7321 個数 | オンセミコンダクター社
FDS9953A

+BOM

6120 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOIC-8
説明 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status - Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 185pF @ 15V
Power - Max - 900mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - FDS99
ProductStatus Active -
FETType 2 P-Channel (Dual) -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.8A -
RdsOn(Max)@IdVgs 75mOhm @ 3.8A, 4.5V -
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 10nC @ 4.5V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 600pF @ 10V -
Power-Max 900mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
比較モデル : FDS9933A FDS9953A

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