FDV301N vs FDV302P
FDV302PとFDV301Nの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT23-3
説明
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDV30
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FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.31 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
-8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
220mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.06V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
9.5 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
