FDY302NZ vs FDY3000NZ

FDY302NZとFDY3000NZの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDY302NZ

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2866 個数
Package
SOT-523-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Part B

FDY3000NZ

フェアチャイルドセミコンダクター

Lifecycle
Active
Stock
6144 個数
Package
SOT-563
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDY302NZ FDY3000NZ
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA (Ta) 600mA
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 4.5V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 300mOhm @ 600mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.5 V 1.1nC @ 4.5V
Vgs(Max) ±12V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60 pF @ 10 V 60pF @ 10V
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Feature - Logic Level Gate
Power - Max - 446mW