FGH40N60SMDF vs FGH40N65UFDTU

FGH40N60SMDFとFGH40N65UFDTUの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40N60SMDF

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 3198 個数
Package: TO-247
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Part B

FGH40N65UFDTU

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 8917 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Full specification comparison

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Specification	FGH40N60SMDF	FGH40N65UFDTU
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status	Active	Obsolete
IGBT Type	Field Stop	Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	650 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.5V @ 15V, 40A	2.4V @ 15V, 40A
Power - Max	349 W	290 W
Switching Energy	1.3mJ (on), 260µJ (off)	1.19mJ (on), 460µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	119 nC	120 nC
Td(on / off) @ 25°C	12ns/92ns	24ns/112ns
Test Condition	400V, 40A, 6Ohm, 15V	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	90 ns	45 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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