FGH40T120SMD vs FGH40N6S2D

FGH40T120SMDとFGH40N6S2Dの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40T120SMD

フェアチャイルドセミコンダクター

Lifecycle
Active
Stock
2036 個数
Package
TO-247
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Part B

FGH40N6S2D

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
9943 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Full specification comparison

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Specification FGH40T120SMD FGH40N6S2D
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A
Power - Max 555 W 290 W
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 370 nC 35 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/475ns 8ns/35ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns 48 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop -
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