FGH40T120SMD vs FGH40T65UPD 比較
FGH40T120SMDとFGH40T65UPDの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-247
TO-247-3
説明
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status
Active
Obsolete
IGBT Type
Trench Field Stop
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
1200 V
650 V
Current - Collector(Ic)(Max)
80 A
80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)
160 A
120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic
2.4V @ 15V, 40A
2.3V @ 15V, 40A
Power - Max
555 W
268 W
Switching Energy
2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
1.59mJ (on), 580µJ (off)
Input Type
Standard
Standard
Gate Charge
370 nC
177 nC
Td(on / off) @ 25°C
40ns/475ns
20ns/144ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
400V, 40A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
43 ns
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
