G5S12002C vs G5S12008C

G5S12002CとG5S12008Cの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

G5S12002C

グローバル・パワー・テクノロジー株式会社

Lifecycle
Active
Stock
2987 個数
Package
TO-252-3
Series
ダイオード - 整流器 - シングル
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Part B

G5S12008C

グローバル・パワー・テクノロジー株式会社

Lifecycle
Active
Stock
8063 個数
Package
TO-252-3
Series
ダイオード - 整流器 - シングル
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Specification G5S12002C G5S12008C
Supplier Global Power Technology Co. Ltd Global Power Technology Co. Ltd
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V 1200 V
Current - Average Rectified(Io) 8.8A (DC) 28.9A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 2 A 1.7 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr F 170pF @ 0V, 1MHz 550pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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